LSIデザインサービスメモリ開発
メモリ開発技術概要
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フラッシュメモリ設計開発
最先端技術の大容量フラッシュメモリからカスタム的な小容量メモリまで一貫設計を行います。
また、RTL記述設計、自動レイアウト導入、ミックスドシグナル検証手法等をご提案します。
◆製品設計実績
- ・携帯向け大容量フラッシュメモリ
- ・ファイル向け大容量フラッシュメモリ
- ・デジタル家電向け小容量フラッシュメモリ
- ・マイコン内蔵フラッシュマクロ
- ・不揮発性メモリIP
◆実績のあるフラッシュメモリ方式
| メモリセル技術 | 動作原理 | ||
|---|---|---|---|
| 構造 | メモリセル方式 | 書き込み | 消去 |
| フローティングゲート | NOR型 | Hot Electron | Tunneling |
| NAND型 | Tunneling | Tunneling | |
| 標準EEPROM | Tunneling | Tunneling | |
| 3Tr-Type EEPROM | Tunneling | Tunneling | |
| カスタムフラッシュ | Hot Electron | Tunneling | |
| SONOS構造 | Virtual GND型 | Hot Electron | Hot Hole |
・HS-SRAM（～600MHz）
・標準SRAM
・デュアルポートSRAM
・マルチポートSRAM
・各種SRAMマクロ開発 （SRAMビットセルからの開発可能）
・コンパイルド型SRAMマクロ
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DRAM設計開発
最先端技術を用いたPC向けの汎用高速DRAM、カスタムDRAM、携帯向けの擬似SRAM等、回路設計からレイアウト設計まで対応しています。
・SDR-SDRAM
・DDR-SDRAM（～400MHz）
・カスタムDRAM
・モバイルDRAM（擬似SRAM）
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EEPROM/EPROM/OTP/MaskROM設計開発
バイト単位で書き込み消去が可能な用途の広いメモリです。ICカード用の中容量EEPROM、小ピン対応のシリアルEEPROMがあります。
- ・パラレルEEPROM
- ・シリアルEEPROM（I2C/SPI BUS）
- ・EEPROMモジュール（マクロ）
- ・低電圧MROM(1.0V以下)
・連想メモリマクロ
| 検索型 | BinaryCAM 、TernaryCAM |
|---|---|
| 周波数 | 66MHz～333MHz |
不揮発性メモリ設計開発
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不揮発性メモリIP開発
お客さまのご要望に応じて、汎用品にはない、特殊メモリ等の開発を行ないます。メモリセルの動作原理に対応した、テスト回路、信頼性評価方法等を提案します。
次世代メモリ設計開発
次世代メモリ等の設計開発を行ないます。
- MRAM、PRAM等の次世代不揮発性メモリ
◆MRAM（スピン注入型）、PRAM（相変化型）等、抵抗変化型メモリの基本設計を行ないます。
- ・抵抗素子の基本動作（特性）
- ・メモリセル(1T1R)の設計（設定）
- ・Write/Erase/Readの動作設計
- ・高速センスアンプ設計
- ・テスト回路設計
