パワー半導体ポーティングサービス
パワー半導体のプロセス移植および部分加工サービス
パワー半導体ポーティングサービス
部分加工・ポーティング
- ・ポーティング対応可能プロセス：IGBT, RC-IGBT, FRD, パワーMOSFET等
- ・各種部分加工も受託可能
- 6インチ：Epi, 酸化, 拡散, CVD, CMP, リソグラフィー, エッチングなどの前工程処理
- 6/8インチ：シリコン研削（BG, TAIKO）, 裏面メタル, メッキ, テスト,
- 裏面処理用エッチング, 同イオン注入, 同スパッタ, レーザーアニール（24年9月予定）
- 8インチ：バンプ, WL-CSP
■ご提供サービス
- ・6インチSiプロセス
- ・8インチは25年度予定
