IPNSCore


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用途

  • ・LSI上に不揮発性メモリ領域を追加し、個々のLSIへ製造後のデータ書込みを可能にします。

適用例

  • ・高精度アナログ回路のトリミング
  • ・液晶色補正データの格納
  • ・マイコンプログラムの格納
  • ・個体認証データの格納
  • ・暗証データの格納
  • ・不良ビットの救済

など

特徴

  • ・1回のみ書き込みが可能なOTP（One Time Program)と複数回書き換え可能（最大4回）なFTP (Few Time Program)があります。
  • ・書込み電圧は5V以下、電流は100μA以下、ビット当たりの書込み速度は10usec以下であり、チャージポンプを使わずに、ボード上の5V電源で書込みが可能です。特に64bit - 256bit程度の小容量マクロでは、チャージポンプを必要とする技術に比べ小面積化が可能です。
  • ・SRAM同様のインタフェースで、SRAM並みの高速なリード/ライト時間で使用可能です。
  • ・TSMC 0.18umG, 0.13umG, 90nmG, 65nmLP
    IBM 0.18umG
    Fujitsu 90nmG

プログラム

  • 1.Standard Users プログラム
    量産プロダクト向けプログラムです。
  • 2.Shuttle Users プログラム
    試作限定のプログラムです。
    LSI試作サービスに、組込み利用いただけます。

PermSRAM®組込み試作（CyberShuttle）例

  • ・GDSインターフェース
  • ・TSMC CyberShuttle

PermSRAM® ラインアップ

Foundry Type Capacity Requied
Voltages
for Read		 Access
Type		 Clock
Latency		 I/O
TSMC 0.18umG OTP 4Kb 1.8V Page 50MHz 8
0.13umG OTP 256b 1.2V,3.3V Single Word 50MHz 256
1Kb 1.2V,3.3V Page 50MHz 256
4Kb 1.2V,3.3V Page 10MHz 64
32Kb 1.2V,3.3V Page 50MHz 64
FTP 64b(256b) 1.2V,3.3V Single Word 50MHz 64
256b(1Kb) 1.2V,3.3V Single Word 50MHz 64
90nmG OTP 256b 1.0V,3.3V Page 50MHz 64
1Kb 1.0V,3.3V Page 50MHz 8/16/64
4Kb 1.0V,3.3V Page 50MHz 8/16/64
16Kb 1.0V,3.3V Page 50MHz 8/16/64
FTP 64b(256b) 1.0V,3.3V Single Word 50MHz 64
256b(1Kb) 1.0V,3.3V Page 50MHz 8/16/64
1Kb(4Kb) 1.0V,3.3V Page 50MHz 8/16/64
4Kb(16Kb) 1.0V,3.3V Page 50MHz 8/16/64
65nmLP OTP 1Kb 1.2V,3.3V Page 50MHz 8/16/64
4Kb 1.2V,3.3V Page 50MHz 8/16/64
16Kb 1.2V,3.3V Page 50MHz 8/16/64
FTP 256b(1Kb) 1.2V,3.3V Page 50MHz 8/16/64
1Kb(4Kb) 1.2V,3.3V Page 50MHz 8/16/64
4Kb(16Kb) 1.2V,3.3V Page 50MHz 8/16/64
IBM 0.18umG OTP 512b 1.8V Page 50MHz 8
4Kb 1.8V Page 50MHz 8
FTP 128b(384b) 1.8V Page 50MHz 8
Fujitsu 90nmG OTP 128Kb 1.2V,3.3V Page 50MHz 8
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