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CMOSでアナログ特性を実現したLSIです。
高集積度と低消費電力特性の実現をサポートしています。 |
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PLL（汎用）
（1.8/3.3V、400M〜800MHz、0.15umプロセス） |
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PLL（汎用）
（1.8/3.3V、400M〜1GHz、90nmプロセス） |
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LVDS（主に携帯電話）
（1.8/3.3V、〜300MHz、PLL内蔵、0.18umプロセス） |
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LVDS（汎用）
（1.8/3.3V、〜200MHz、PLL内蔵） |
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アクティブバラン、LNA（要素回路）
（1.8V、5.3GHz、TEG搭載） |
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Δ変調器（要素回路）
（1.8/3.3V、100MHz、TEG搭載） |
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分周回路（要素回路）
（1.8V、〜8GHz、TEG搭載） |
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アナログ特性をバイポーラトランジスタで、デジタル回路をCMOSで実現したLSIです。
高性能で高集積度の機能の実現をサポートしています。 |
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PHSフロントエンドIC（LNA、ミキサ）
（3V、1.9GHz）仕様から対応 |
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高度化PHS用送信IC（QMOD、AGC、U/C）
（3V、250MHz〜2GHz） |
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特定用途向け無線送信IC（PA、逓倍回路）
（2.2V、400MHz） |
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WCDMA用送信IC（AGC、U/C、Damp）
（1.8V、〜2GHz） |
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バイポーラトランジスタを用いてアナログ特性を実現したLSIです。
高速性・大電流駆動性の実現をサポートしています。 |
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PHS基地局用受信IC（AGC、ミキサ、RSSI）
（3V、250MHz）AGCブロックのみ |
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各種アプリケーションに対応した電源・パワー系LSIです。
高性能で高集積度の実現をサポートしています。 |
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スイッチングレギュレータIC（昇圧、降圧、反転）
（fsw=2MHz、効率90％以上） |
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シリーズレギュレータIC
（低消費電流、超低ノイズ） |
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